Produktbeskrivning

KIOXIA CD8P-V Series solid state-disk är konstruerad för att uppfylla kraven i datacentermiljöer och erbjuder en blandning av prestanda, tillförlitlighet och effektivitet. Med en kapacitet på 12 800 GB och stöd för kontinuerlig drift är den utformad för att hantera de mest intensiva dataarbetsbelastningarna. Enheten har en imponerande intern datahastighet som möjliggörs av PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnittet, vilket garanterar snabb dataåtkomst och överföringshastigheter. Funktioner som end-to-end-dataskydd, Power Loss Protection och en hög MTBF på 2 500 000 timmar understryker dess tillförlitlighet och hållbarhet. Den energieffektiva designen med låg strömförbrukning i både aktivt läge och viloläge gör den dessutom till ett miljövänligt val för moderna datacenter. Oavsett om det gäller blandad användning eller specifika applikationer levererar SSD-enheterna i KIOXIA CD8P-V-serien prestanda utan att kompromissa med energieffektivitet eller tillförlitlighet.

 

Egenskaper

Robust hållbarhet
KIOXIA CD8P-V Series SSD är konstruerad för kontinuerlig drift i krävande datacentermiljöer och garanterar tillförlitlighet med en MTBF på 2 500 000 timmar. Den robusta designen förstärks ytterligare av end-to-end-dataskydd och Power Loss Protection (PLP), som skyddar dina data mot oväntade strömavbrott.

Höghastighetsprestanda
Med en imponerande intern datahastighet på upp till 12 000 MB/s för läsning och 5 300 MB/s för skrivning, kombinerat med PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnitt, ger denna solid state-enhet snabb och effektiv dataåtkomst och överföringshastigheter, vilket gör den idealisk för datacenterapplikationer med blandad användning.

Exceptionell effektivitet
KIOXIA CD8P-V-serien är konstruerad för effektivitet och har en låg strömförbrukning på 23 W vid aktiv användning och bara 5 W i viloläge. Detta minskar inte bara driftskostnaderna utan bidrar också till en mer hållbar datacentermiljö.

 

Teknisk specifikation

Typ av enhet	SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet	12800 GB
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	E3.S
Gränssnitt	PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaper	End-to-end-dataskydd, 24x7 kontinuerlig drift, Strömförlustskydd (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), en port, Open Compute Project 2.0
Bredd	76 mm
Djup	112.75 mm
Höjd	7.5 mm
Vikt	110 g

Antal skrivningar per dag (DWPD)	3
Drivenhetsklass	Datacenter, blandad användning
Intern datafrekvens	12000 MBps (läs)/ 5300 MBps (skriv)
4 KB Random Read	2000000 IOPS
4 KB Random Write	400000 IOPS

MTBF (genomsnittstid mellan fel)	2,500,000 timmar
Dygnet-runt drift	Ja

Gränssnitt	1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack	E3.S

Strömkonsumtion	23 Watt (aktiv) 5 Watt (inaktiv)

Service och support	Begränsad garanti - 5 år

Min temperatur vid drift	0 °C
Max temperatur vid drift	76 °C
Min temperatur vid förvaring	-40 °C
Max temperatur vid förvaring	85 °C
Luftfuktighet vid drift	5 - 95% RH
Stöttolerans (vid drift)	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (vid drift)	2.17 gRMS @ 5-800 Hz