Produktbeskrivning

KIOXIA CD8P-V Series solid state-enhet är konstruerad för att uppfylla kraven i datacenter och miljöer med blandad användning. Med en lagringskapacitet på hela 3 200 GB och ett PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnitt ger den höghastighetsdataöverföringshastigheter på upp till 12 000 MB/s vid läsning och 5 500 MB/s vid skrivning. Enheten är utformad för drift 24x7 och har en hög uthållighet på 3 DWPD, vilket gör den tillförlitlig för kontinuerlig användning. Funktioner som end-to-end dataskydd, Power Loss Protection (PLP) och Sanitize Instant Erase (SIE) säkerställer dataintegritet och säkerhet. KIOXIA CD8P-V-serien har en MTBF på 2 500 000 timmar och är byggd för att tåla stötar och vibrationer under drift, vilket gör den till en robust lagringslösning som erbjuder både prestanda och hållbarhet. Dess stöd för Open Compute Project 2.0-standarder säkerställer ytterligare kompatibilitet och interoperabilitet i olika IT-miljöer.

 

Egenskaper

Pålitlig prestanda
KIOXIA CD8P-V-serien är konstruerad för kontinuerlig drift 24x7 med en hög uthållighet på 3 skrivningar per dag (DWPD) och garanterar tillförlitlig prestanda för datacenter och miljöer med blandad användning. Den robusta designen kompletteras med end-to-end dataskydd och Power Loss Protection (PLP), vilket skyddar din dataintegritet under olika förhållanden.

Anslutningsmöjligheter med hög hastighet
Med hjälp av PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnittet erbjuder denna solid state-enhet exceptionella interna datahastigheter på upp till 12 000 MBps läs- och 5 500 MBps skrivhastigheter. Sådana snabba överföringshastigheter ger snabbare dataåtkomst och förbättrad systemrespons, vilket gör den till ett perfekt val för krävande applikationer.

Förbättrad hållbarhet
KIOXIA CD8P-V-serien har en MTBF på 2.500.000 timmar och är konstruerad för att klara stötar och vibrationer i drift, vilket innebär att den är tillförlitlig i krävande miljöer. Dess tålighet förbättras ytterligare av funktioner som Sanitize Instant Erase (SIE) för säker radering av data och miljötolerans från 0°C till 76°C drifttemperatur.

 

Teknisk specifikation

Typ av enhet	SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet	3200 GB
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	E3.S
Gränssnitt	PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaper	End-to-end-dataskydd, 24x7 kontinuerlig drift, Strömförlustskydd (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), en port, Open Compute Project 2.0
Bredd	76 mm
Djup	112.75 mm
Höjd	7.5 mm
Vikt	110 g

Antal skrivningar per dag (DWPD)	3
Drivenhetsklass	Datacenter, blandad användning
Intern datafrekvens	12000 MBps (läs)/ 5500 MBps (skriv)
4 KB Random Read	1900000 IOPS
4 KB Random Write	400000 IOPS

MTBF (genomsnittstid mellan fel)	2,500,000 timmar
Dygnet-runt drift	Ja

Gränssnitt	1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack	E3.S

Strömkonsumtion	19 Watt (aktiv) 5 Watt (inaktiv)

Service och support	Begränsad garanti - 5 år

Min temperatur vid drift	0 °C
Max temperatur vid drift	76 °C
Min temperatur vid förvaring	-40 °C
Max temperatur vid förvaring	85 °C
Luftfuktighet vid drift	5 - 95% RH
Stöttolerans (vid drift)	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (vid drift)	2.17 gRMS @ 5-800 Hz